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Si3424BDV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
30
24
1 8
12
6
V GS = 10 V thru 4.5 V
V GS = 4 V
5
4
3
2
1
T J = 25 °C
T J = 125 °C
0
V GS = 3 V
0
T J = - 55 °C
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
0.06
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics curves vs. Temp
0.05
8 00
C iss
0.04
600
V GS = 4.5 V
0.03
0.02
0.01
0
V GS = 10 V
400
200
0
C oss
C rss
0
8
16
24
32
40
0
6
12
1 8
24
30
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 7 A
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
6
4
2
0
V DS = 15 V
V DS = 24 V
1.6
1.4
1.2
1.0
0. 8
0.6
V GS = 4.5 V, I D = 5.8 A
V GS = 10 V , I D = 7 A
0
3
6
9
12
15
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Q g - Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 74623
S13-0631-Rev. E, 25-Mar-13
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
3
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